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　　“公司的反应腔产品，2024年上半年出货量超过430个，截至2024年6月底，出货量已累计超过1940个，预计今年全年出货量将超1000个，有望创下历史新高。”拓荆科技相关负责人在接受《》记者采访时表示。

　　成立于2010年的拓荆科技是一家专注于半导体专用设备领域的高新技术企业。2011年，公司的首台12英寸PECVD(等离子体增强化学气相沉积)正式出厂，到如今，公司已成长为薄膜沉积设备领域的领军企业。

　　据悉，作为芯片制造的核心设备之一，薄膜沉积设备一般由平台及多个反应腔组成。其中，反应腔是进行材料沉积、蚀刻等反应的重要装置。过去很长一段时间，我国的薄膜沉积设备完全依赖于国际厂商。

　　在首台12英寸PECVD设备经客户端验证后，拓荆科技后续又推出了ALD(原子层沉积)、SACVD(次常压化学气相沉积)、HDPCVD(高密度等离子体化学气相沉积)、高深宽比沟槽填充CVD(化学气相沉积)等系列产品，打破了国外厂商的长期垄断，为我国集成电路制造产业链补齐了关键一环。

　　新热点财富创始人岩在接受《》记者采访时表示，在推进半导体行业实现自主可控发展的过程中，行业专用设备需求旺盛，特别是作为芯片制造“三大件”之一的薄膜沉积设备，发展空间巨大。

　　财报显示，2018年至2023年，拓荆科技的年营业收入由7064.4万元提升到了27.05亿元，五年时间增长超38倍，年复合增长率为107%。其中，2021年，公司首次实现盈利。2021年至2023年，公司年度净利润由6848.65万元增长到6.63亿元，年复合增长率高达114%。2024年前6个月，公司实现营业收入12.67亿元，同比增长26.22%。

　　“截至2024年第二季度末，公司发出商品余额为31.62亿元，较2023年末的19.34亿元增长63.5%，为后续的收入增长奠定了良好基础。目前，公司在手订单充足，未来业绩增长具备坚实基础。”拓荆科技前述负责人说。

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　　据了解，半导体专用设备制造属于典型的技术密集型行业。公开资料显示，截至今年6月底，拓荆科技已累计承担9项国家重大专项/课题，累计申请专利1279项(含PCT)JN体育官方网址，获得专利402项。今年上半年，公司研发投入3.14亿元，同比增长50%。研发投入在营业收入中的占比为24.81%，继续维持在较高水平。公司研发人员在员工总数中的占比超四成。

　　拓荆科技前述负责人表示，今年上半年，公司新增申请专利74项(含PCT)，新增获得专利45项。产品及工艺覆盖面不断扩大，产品核心竞争力持续提升。多台套新工艺设备通过客户验证，并实现了产业化应用，获得客户订单或复购。

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　　另据了解，在不断巩固薄膜沉积设备领先优势的同时，拓荆科技还面向新的技术趋势和市场需求，进军混合键合设备领域，对晶圆混合键合设备、芯片对晶圆键合表面预处理设备进行拓展。目前，公司自主研发的键合套准精度量测产品Crux300已获得客户订单，并在积极推进芯片对晶圆混合键合设备的研发。公司新推出的晶圆对晶圆混合键合设备作为国产首台应用于量产的混合键合设备，性能和产能指标已达到国际领先水平。

　　岩表示，混合键合设备作为晶圆级三维集成应用中最前沿的核心设备，预计该细分领域将得到高速发展。拓荆科技在该领域的前瞻布局，有望成为公司新的业绩增长点，为其打开第二成长曲线。

　　拓荆科技前述负责人表示，未来，公司还将不断加大研发力度，拓展新产品、新工艺，完善产业布局，推进高质量发展，为股东创造长期可持续的价值。